A new nanoporous material based on amorphous silicon dioxide
نویسندگان
چکیده
منابع مشابه
task-based language teaching in iran: a mixed study through constructing and validating a new questionnaire based on theoretical, sociocultural, and educational frameworks
جنبه های گوناگونی از زندگی در ایران را از جمله سبک زندگی، علم و امکانات فنی و تکنولوژیکی می توان کم یا بیش وارداتی در نظر گرفت. زبان انگلیسی و روش تدریس آن نیز از این قاعده مثتسنی نیست. با این حال گاهی سوال پیش می آید که آیا یک روش خاص با زیر ساخت های نظری، فرهنگی اجتماعی و آموزشی جامعه ایرانی سازگاری دارد یا خیر. این تحقیق بر اساس روش های ترکیبی انجام شده است.پرسش نامه ای نیز برای زبان آموزان ...
Theoretical models of hydrogen-induced defects in amorphous silicon dioxide
Al-Moatasem El-Sayed,1,* Yannick Wimmer,2,† Wolfgang Goes,2,‡ Tibor Grasser,2,§ Valery V. Afanas’ev,3,‖ and Alexander L. Shluger1,¶ 1Department of Physics and Astronomy and London Centre for Nanotechnology, University College London, Gower Street, London, WC1E 6BT, United Kingdom 2Institute for Microelectronics, Technische Universität Wien, A-1040 Vienna, Austria 3Department of Physics, Univers...
متن کاملBallistic Phonon Penetration Depth in Amorphous Silicon Dioxide.
Thermal transport in amorphous silicon dioxide (a-SiO2) is traditionally treated as random walks of vibrations owing to its greatly disordered structure, which results in a mean free path (MFP) approximately the same as the interatomic distance. However, this picture has been debated constantly and in view of the ubiquitous existence of thin a-SiO2 layers in nanoelectronic devices, it is impera...
متن کاملAmorphous Silicon–based Solar Cells
Crystalline semiconductors are very well known, including silicon (the basis of the integrated circuits used in modern electronics), Ge (the material of the first transistor), GaAs and the other III-V compounds (the basis for many light emitters), and CdS (often used as a light sensor). In crystals, the atoms are arranged in near-perfect, regular arrays or lattices. Of course, the lattice must ...
متن کاملذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics
سال: 2012
ISSN: 1062-8738,1934-9432
DOI: 10.3103/s1062873812050267